氮化镓功率器件作为第三代半导体的代表，正逐步取代传统硅基器件，成为高频、高功率应用场景的首选。然而，其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战——传统封装材料已难以满足高散热效率和可靠性的要求。
在这一背景下，钜合（上海）新材料科技有限公司潜心研发的SECrosslink® H87A/B系列低温烧结银膏，以其卓越的导热性、高粘接强度和可靠的稳定性，为氮化镓功率器件提供了一种创新的封装解决方案。
01 行业瓶颈：氮化镓器件的封装挑战
在电力电子系统中，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）因其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点备受关注。
然而，传统封装中的寄生电感参数较大，容易引起开关振荡等问题，这使得GaN的优良性能难以充分发挥。
更为关键的是，封装的热管理能力直接决定了功率器件的可靠性。
氮化镓晶体管的自热效应非常显著，尤其是在栅极靠近漏极处的狭长区域内，会产生大量焦耳热。
展开剩余74%若不能有效解决散热问题，将导致器件性能降低，甚至烧毁芯片。
02 技术突破：低温烧结银膏的卓越特性
钜合新材的SECrosslink® H87A/B系列产品，是专门为第三代半导体芯片封装设计的无压低温烧结型高导热纳米银胶。
这两款产品在多项关键性能参数上表现突出，直接针对氮化镓功率器件的散热和可靠性需求。
H87A/B具有高达220 W/m·K的导热系数，能高效地将芯片工作时产生的热量导出，显著降低结温。
超高的导热性能对于解决氮化镓器件的自热效应至关重要。
同时，材料提供了强大的芯片粘接力，剪切推力测试显示，在室温下可达2.7 kg（1×1 mm Si /Au-Au LF），即使在260℃的高温环境下也能保持2.2 kg的强度。
这一特性确保了芯片在高温、高功率工况下的长期稳定运行。
03 工艺革新：低温无压烧结的优势
H87A/B系列最为突出的优势之一是其低温无压烧结特性。
传统的银烧结技术往往需要较高的温度和压力，而H87A/B可在150℃的低温条件下实现完美烧结，且无需施加压力。
低温烧结工艺避免了高温对氮化镓芯片的潜在损伤，保护了敏感器件不受热影响的破坏。
无压烧结特性则降低了对精密昂贵设备的依赖，简化了封装流程，使规模化生产更加便捷和经济。
烧结后形成的银层致密度高，孔隙率低，无分层现象，确保了连接层的均匀性和可靠性。
04 应用前景：推动氮化镓技术迈向新纪元
随着5G通信、新能源汽车和工业电源等领域的快速发展，对高性能氮化镓功率器件的需求持续增长。
SECrosslink® H87A/B烧结银膏的推出，为这些应用领域提供了可靠的材料解决方案。
在5G通信基站中，采用银膏烧结技术的射频模块可以实现更低的信号损耗和更高的功率输出。
对于新能源汽车，烧结银技术直接应用于SiC MOSFET模块，助力实现1000V高压架构与兆瓦级闪充，显著提升系统效率
在航空航天和军工领域，银膏材料能够承受-55℃至400℃的极端温度环境，满足卫星、雷达等设备对耐高温、抗辐射的苛刻需求。
05 技术纵深：应对银迁移挑战
银迁移现象是烧结银胶贴片工艺面临的一个特定挑战——在高温、高湿和高电应力作用下，银离子可能离解并迁移，导致器件性能退化。
针对这一问题，最新的研究表明，通过优化氮化镓器件的电极结构设计，如引入非闭环的栅极屏蔽结构，可有效抑制银迁移。
钜合新材的H87A/B产品与这些创新的电极结构设计相结合，共同提升了氮化镓器件在高加速应力条件下的可靠性，为烧结银技术在氮化镓功率器件中的广泛应用扫清了障碍。
钜合新材的SECrosslink® H87A/B系列产品，正逐步通过国内半导体头部企业的严苛测试与验证。
随着5G通信、新能源汽车等产业的蓬勃发展，这款低温烧结银膏有望成为国产高端半导体封装材料替代进程中的重要一环。
未来，钜合新材将继续致力于高性能电子封装材料的研发，与产业链上下游企业紧密合作，共同推动中国半导体产业的自主可控与创新发展。
发布于：上海市广瑞网配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
